MMBFJ309LT1G vs MMBFJ176

Dieser detaillierte Vergleich von MMBFJ176 und MMBFJ309LT1G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
MMBFJ176

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7683 Stückzahl | Onsemi
MMBFJ309LT1G

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3774 Stückzahl | Onsemi
Paket SOT-23-3
Beschreibung JFET P-CH 30V SOT23-3 RF MOSFET N-CH JFET SOT23-3
Part Status Active -
Base Product Number MMBFJ1 -
FET Type P-Channel -
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 30 V -
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2 mA @ 15 V -
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 1 V @ 10 nA -
Resistance - RDS(On) 250 Ohms -
Power - Max 225 mW -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
ProductStatus - Active
TransistorType - N-Channel JFET
CurrentRating(Amps) - 30mA
Voltage-Rated - 25 V
Vergleichsmodell : MMBFJ176 MMBFJ309LT1G

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