MMBFJ309LT1G vs MMBFJ177
Dieser detaillierte Vergleich von MMBFJ177 und MMBFJ309LT1G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
SOT-23-3
SOT-23-3
Beschreibung
JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
RF MOSFET N-CH JFET SOT23-3
ProductStatus
Obsolete
Active
FETType
P-Channel
-
Voltage-Breakdown(V(BR)GSS)
30 V
-
Current-Drain(Idss)@Vds(Vgs=0)
1.5 mA @ 15 V
-
Voltage-Cutoff(VGSoff)@Id
800 mV @ 10 nA
-
Resistance-RDS(On)
300 Ohms
-
Power-Max
225 mW
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
MountingType
Surface Mount
-
TransistorType
-
N-Channel JFET
CurrentRating(Amps)
-
30mA
Voltage-Rated
-
25 V
