MMBFJ177LT1G vs MMBFJ177LT1

Dieser detaillierte Vergleich von MMBFJ177LT1G und MMBFJ177LT1 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1
Supplier - onsemi
Part Status Active Obsolete
FET Type P-Channel -
Voltage - Breakdown(V(BR)GSS) 30 V -
Current - Drain(Idss) @ Vds(Vgs=0) 1.5 mA @ 15 V -
Voltage - Cutoff(VG Soff) @ Id 800 mV @ 10 nA -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 11pF @ 10V (VGS) -
Rds On 300 Ohms -
Power - Max 225 mW -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
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