MMBFJ310LT1G vs MMBFJ177

Dieser detaillierte Vergleich von MMBFJ177 und MMBFJ310LT1G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
MMBFJ177

+Stückliste

4476 Stückzahl | Onsemi
MMBFJ310LT1G

+Stückliste

7096 Stückzahl | Onsemi
Paket SOT23-3 SOT23-3
Beschreibung JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
ProductStatus Obsolete Active
FETType P-Channel -
Voltage-Breakdown(V(BR)GSS) 30 V -
Current-Drain(Idss)@Vds(Vgs=0) 1.5 mA @ 15 V -
Voltage-Cutoff(VGSoff)@Id 800 mV @ 10 nA -
Resistance-RDS(On) 300 Ohms -
Power-Max 225 mW -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
TransistorType - N-Channel JFET
Gain - 12dB
Voltage-Test - 10 V
CurrentRating(Amps) - 60mA
Current-Test - 10 mA
Voltage-Rated - 25 V
Vergleichsmodell : MMBFJ177 MMBFJ310LT1G

+Stückliste Anfrage