MMBT3906LT1 vs MMBT3640

Dieser detaillierte Vergleich von MMBT3906LT1 und MMBT3640 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part B

MMBT3640

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
22607 Stückzahl
Package
TO-236-3
Series
Transistoren, Bipolar (BJT, Single)
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Specification MMBT3906LT1 MMBT3640
Supplier Rochester Electronics, LLC onsemi
Part Status Obsolete Obsolete
Transistor Type PNP PNP
Current - Collector(Ic)(Max) 200 mA 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 40 V 12 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 400mV @ 5mA, 50mA 600mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 100 @ 10mA, 1V 30 @ 10mA, 300mV
Power - Max 225 mW 225 mW
Frequency - Transition 250MHz 500MHz
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Current - Collector Cutoff(Max) - 10nA
Operating Temperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
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