MMBT3906LT1 vs MMBT3646

Dieser detaillierte Vergleich von MMBT3906LT1 und MMBT3646 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part B

MMBT3646

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
7189 Stückzahl
Package
TO-236-3
Series
Transistoren, Bipolar (BJT, Single)
+Stückliste Anfrage

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Specification MMBT3906LT1 MMBT3646
Supplier Rochester Electronics, LLC onsemi,Flip Electronics,Rochester Electronics, LLC
Part Status Obsolete Obsolete
Transistor Type PNP NPN
Current - Collector(Ic)(Max) 200 mA 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 40 V 15 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 400mV @ 5mA, 50mA 500mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff(Max) - 500nA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 100 @ 10mA, 1V 30 @ 30mA, 400mV
Power - Max 225 mW 625 mW
Operating Temperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Frequency - Transition 250MHz -
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