MMBT5401 vs MMBT5551

Dieser detaillierte Vergleich von MMBT5401 und MMBT5551 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBT5401

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
6921 Stückzahl
Package
SOT-23-3
Series
Transistoren, Bipolar (BJT, Single)
+Stückliste Anfrage
Part B

MMBT5551

Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.

Lifecycle
Active
Stock
3024 Stückzahl
Series
Bipolare Transistoren (BJT-Single Bipolar Transistors)
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification MMBT5401 MMBT5551
Part Status Obsolete Active
Transistor Type PNP NPN
Current - Collector(Ic)(Max) 600 mA -
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 150 V -
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 500mV @ 5mA, 50mA -
Current - Collector Cutoff(Max) 50nA (ICBO) -
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 60 @ 10mA, 5V -
Power - Max 350 mW 350 mW
Frequency - Transition 300MHz 300MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Current - Collector (Ic) (Max) - 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) - 160 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic - 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max) - 50µA
DC Current Gain (h FE) (Min) @ Ic, Vce - 80 @ 10mA, 5V
Packaging - Tape & Reel (TR)
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