MMBT5401 vs MMBT5550LT1G

Dieser detaillierte Vergleich von MMBT5401 und MMBT5550LT1G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBT5401

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 6921 Stückzahl
Package: SOT-23-3
Series: Transistoren, Bipolar (BJT, Single)

+Stückliste Anfrage

Part B

MMBT5550LT1G

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 6596 Stückzahl
Package: SOT-23-3
Series: Transistoren, Bipolar (BJT, Single)

+Stückliste Anfrage

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Anfrage Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	MMBT5401	MMBT5550LT1G
Part Status	Obsolete	Active
Transistor Type	PNP	NPN
Current - Collector(Ic)(Max)	600 mA	600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	150 V	140 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	500mV @ 5mA, 50mA	250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff(Max)	50nA (ICBO)	100nA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	60 @ 10mA, 5V	60 @ 10mA, 5V
Power - Max	350 mW	225 mW
Frequency - Transition	300MHz	-
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare Anfrage