MMBT5550LT1G vs MMBT5401 Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von MMBT5401 und MMBT5550LT1G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
MMBT5401

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6921 Stückzahl | Onsemi
MMBT5550LT1G

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6596 Stückzahl | Onsemi
Paket SOT-23-3 SOT-23-3
Beschreibung TRANS PNP 150V 0.6A SOT23-3 TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Part Status Obsolete Active
Transistor Type PNP NPN
Current - Collector(Ic)(Max) 600 mA 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 150 V 140 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 500mV @ 5mA, 50mA 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff(Max) 50nA (ICBO) 100nA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 60 @ 10mA, 5V 60 @ 10mA, 5V
Power - Max 350 mW 225 mW
Frequency - Transition 300MHz -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : MMBT5401 MMBT5550LT1G

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