MMBT5087LT1G vs MMBT5089 Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von MMBT5087LT1G und MMBT5089 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
TO-236-3
TO-236-3
Beschreibung
TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
TRANS NPN 25V 0.1A SOT23-3
Supplier
onsemi,Rochester Electronics, LLC
onsemi
Part Status
Active
Obsolete
Transistor Type
PNP
NPN
Current - Collector(Ic)(Max)
50 mA
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)
50 V
25 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic
300mV @ 1mA, 10mA
500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff(Max)
50nA (ICBO)
50nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce
250 @ 100µA, 5V
400 @ 100µA, 5V
Power - Max
300 mW
350 mW
Frequency - Transition
40MHz
50MHz
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
