MMBT5087LT1G vs MMBT5401-7

Dieser detaillierte Vergleich von MMBT5087LT1G und MMBT5401-7 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part B

MMBT5401-7

Dioden Incorporated

Lifecycle
Active
Stock
7677 Stückzahl
Package
TO-236-3
Series
Transistoren, Bipolar (BJT, Single)
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Specification MMBT5087LT1G MMBT5401-7
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC Diodes Incorporated
Series - Automotive, AEC-Q101
Part Status Active Discontinued at Digi-Key
Transistor Type PNP PNP
Current - Collector(Ic)(Max) 50 mA 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50 V 150 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 300mV @ 1mA, 10mA 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff(Max) 50nA (ICBO) 50nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 250 @ 100µA, 5V 60 @ 10mA, 5V
Power - Max 300 mW 300 mW
Frequency - Transition 40MHz 300MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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