MMBT5087LT1G vs MMBT5089LT1 Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von MMBT5087LT1G und MMBT5089LT1 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
MMBT5087LT1G

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28578 Stückzahl | Onsemi
MMBT5089LT1

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5755 Stückzahl | Onsemi
Paket TO-236-3 TO-236-3
Beschreibung TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3 TRANS NPN 25V 50MA SOT23
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC onsemi,Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Transistor Type PNP NPN
Current - Collector(Ic)(Max) 50 mA 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50 V 25 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 300mV @ 1mA, 10mA 500mV @ 1mA, 10mA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 250 @ 100µA, 5V 450 @ 1mA, 5V
Power - Max 300 mW 225 mW
Frequency - Transition 40MHz 50MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Current - Collector Cutoff(Max) 50nA (ICBO) -
Vergleichsmodell : MMBT5087LT1G MMBT5089LT1

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