MMBT5087LT1G vs MMBT5087 Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von MMBT5087LT1G und MMBT5087 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
MMBT5087LT1G

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28578 Stückzahl | Onsemi
MMBT5087

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7399 Stückzahl | Onsemi
Paket TO-236-3 TO-236-3
Beschreibung TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3 TRANS PNP 50V 0.1A SOT23-3
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC onsemi,Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Transistor Type PNP PNP
Current - Collector(Ic)(Max) 50 mA 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50 V 50 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 300mV @ 1mA, 10mA 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff(Max) 50nA (ICBO) 10nA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 250 @ 100µA, 5V 250 @ 100µA, 5V
Power - Max 300 mW 350 mW
Frequency - Transition 40MHz 40MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : MMBT5087LT1G MMBT5087

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