MMBTA14LT1G vs MMBTA55LT1G

Dieser detaillierte Vergleich von MMBTA14LT1G und MMBTA55LT1G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBTA14LT1G

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 9690 Stückzahl
Package: TO-236-3
Series: Transistoren, Bipolar (BJT, Single)

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Part B

MMBTA55LT1G

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 13996 Stückzahl
Package: TO-236-3
Series: Transistoren, Bipolar (BJT, Single)

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Full specification comparison

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Specification	MMBTA14LT1G	MMBTA55LT1G
Supplier	onsemi	onsemi
Part Status	Active	Active
Transistor Type	NPN - Darlington	PNP
Current - Collector(Ic)(Max)	300 mA	500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	30 V	60 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	1.5V @ 100µA, 100mA	250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max)	100nA (ICBO)	100nA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	20000 @ 100mA, 5V	100 @ 100mA, 1V
Power - Max	225 mW	225 mW
Frequency - Transition	125MHz	50MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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