MMBTH10LT1G vs MMBTH10-4LT1

Dieser detaillierte Vergleich von MMBTH10LT1G und MMBTH10-4LT1 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
MMBTH10LT1G

+Stückliste

5390 Stückzahl | Onsemi
MMBTH10-4LT1

+Stückliste

5602 Stückzahl | Onsemi
Paket SOT-23-3 TO-236-3
Beschreibung RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
Supplier - onsemi
ProductStatus Active Obsolete
TransistorType NPN NPN
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) 25V 25V
Frequency-Transition 650MHz 800MHz
Power-Max 225mW 225mW
DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce 60 @ 4mA, 10V 120 @ 4mA, 10V
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : MMBTH10LT1G MMBTH10-4LT1

+Stückliste Anfrage