MMBTH10LT1G vs MMBTH81

Dieser detaillierte Vergleich von MMBTH81 und MMBTH10LT1G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
MMBTH81

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3557 Stückzahl | Onsemi
MMBTH10LT1G

+Stückliste

5390 Stückzahl | Onsemi
Paket SOT23-3 SOT23-3
Beschreibung RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23-3 RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
ProductStatus Active Active
TransistorType PNP NPN
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) 20V 25V
Frequency-Transition 600MHz 650MHz
Power-Max 225mW 225mW
DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce 60 @ 5mA, 10V 60 @ 4mA, 10V
Current-Collector(Ic)(Max) 50mA -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : MMBTH81 MMBTH10LT1G

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