MT40A1G8SA-075:E vs MT40A2G4WE-075E:B Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von MT40A1G8SA-075:E und MT40A2G4WE-075E:B bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.

Spezifikationen

MT40A1G8SA-075:E

+Stückliste

3795 Stückzahl | Micron Technology Inc.

MT40A2G4WE-075E:B

+Stückliste

4102 Stückzahl | Micron Technology Inc.

Paket TFBGA-78

Beschreibung IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA

Part Status Obsolete Obsolete

Memory Type Volatile Volatile

Memory Format DRAM DRAM

Technology SDRAM - DDR4 SDRAM - DDR4

Memory Size 8Gbit 8Gb (2G x 4)

Memory Interface Parallel Parallel

Clock Frequency 1.33 GHz 1.33 GHz

Voltage - Supply 1.14V ~ 1.26V 1.14V ~ 1.26V

Operating Temperature 0°C ~ 95°C (TC) 0°C ~ 95°C (TC)

Mounting Type Surface Mount Surface Mount

Base Product Number MT40A1G8 -

Digi Key Programmable Not Verified -

Memory Organization 1G x 8 -

Packaging Tray -

Vergleichsmodell : MT40A1G8SA-075:E MT40A2G4WE-075E:B

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MT40A1G8SA-075:E vs MT40A2G4WE-075E:B Vergleich

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