MT40A1G8SA-075:E vs MT40A2G4WE-075E:D

Dieser detaillierte Vergleich von MT40A1G8SA-075:E und MT40A2G4WE-075E:D bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.

Spezifikationen

MT40A1G8SA-075:E

+Stückliste

3795 Stückzahl | Micron Technology Inc.

MT40A2G4WE-075E:D

+Stückliste

4946 Stückzahl | Micron Technology Inc.

Paket TFBGA-78

Beschreibung IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA

ProductStatus - Obsolete

MemoryType - Volatile

MemoryFormat - DRAM

Technology SDRAM - DDR4 SDRAM - DDR4

MemorySize - 8Gb (2G x 4)

MemoryInterface - Parallel

ClockFrequency - 1.33 GHz

Voltage-Supply - 1.14V ~ 1.26V

OperatingTemperature - 0°C ~ 95°C (TC)

MountingType - Surface Mount

Part Status Obsolete -

Base Product Number MT40A1G8 -

DigiKey Programmable Not Verified -

Memory Organization 1G x 8 -

Packaging Tray -

Vergleichsmodell : MT40A1G8SA-075:E MT40A2G4WE-075E:D

+Stückliste Anfrage

MT40A1G8SA-075:E vs MT40A2G4WE-075E:D

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