MUN5111T1G vs MUN5112T1 Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von MUN5111T1G und MUN5112T1 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
SC-70
Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323
Supplier
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Rochester Electronics, LLC
Part Status
Active
Obsolete
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
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Current - Collector(Ic)(Max)
100 mA
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Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)
50 V
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Resistor - Base(R1)
10 kOhms
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Resistor - Emitter Base(R2)
10 kOhms
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DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce
35 @ 5mA, 10V
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Vce Saturation(Max) @ Ib Ic
250mV @ 300µA, 10mA
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Current - Collector Cutoff(Max)
500nA
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Power - Max
202 mW
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Mounting Type
Surface Mount
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