MUN5111T1G vs MUN5114T1 Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von MUN5111T1G und MUN5114T1 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
MUN5111T1G

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2851 Stückzahl | Onsemi
MUN5114T1

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4158 Stückzahl | Onsemi
Paket SC-70
Beschreibung TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT323
Supplier - onsemi
Part Status Active Obsolete
Transistor Type PNP - Pre-Biased -
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA -
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50 V -
Resistor - Base(R1) 10 kOhms -
Resistor - Emitter Base(R2) 10 kOhms -
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 35 @ 5mA, 10V -
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 250mV @ 300µA, 10mA -
Current - Collector Cutoff(Max) 500nA -
Power - Max 202 mW -
Mounting Type Surface Mount -
Vergleichsmodell : MUN5111T1G MUN5114T1

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