MUN5211DW1T1G vs MUN5216T1

Dieser detaillierte Vergleich von MUN5211DW1T1G und MUN5216T1 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine
Part A

MUN5211DW1T1G

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
4451 Stückzahl
Package
SOT-363-6
Series
Transistoren-Bipolar (BJT-Arrays, Vorverzerrung)
+Stückliste Anfrage
Part B

MUN5216T1

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
7378 Stückzahl
Package
SOT-323
Series
Transistoren-Bipolar (BJT bis Single, Pre-Biased)
+Stückliste Anfrage

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Specification MUN5211DW1T1G MUN5216T1
Supplier - onsemi,Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual) NPN - Pre-Biased
Current - Collector(Ic)(Max) 100mA 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50V 50 V
Resistor - Base(R1) 10kOhms 4.7 kOhms
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 35 @ 5mA, 10V 160 @ 5mA, 10V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff(Max) 500nA 500nA
Power - Max 250mW 202 mW
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Resistor - Emitter Base(R2) 10kOhms -
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