MUN5211DW1T1G vs MUN5232T1 Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von MUN5211DW1T1G und MUN5232T1 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
MUN5211DW1T1G

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4451 Stückzahl | Onsemi
MUN5232T1

+Stückliste

7257 Stückzahl | Onsemi
Paket SOT-363-6 SOT-323
Beschreibung TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88 TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
Supplier - onsemi,Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual) NPN - Pre-Biased
Current - Collector(Ic)(Max) 100mA 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50V 50 V
Resistor - Base(R1) 10kOhms 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base(R2) 10kOhms 4.7 kOhms
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 35 @ 5mA, 10V 15 @ 5mA, 10V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff(Max) 500nA 500nA
Power - Max 250mW 202 mW
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : MUN5211DW1T1G MUN5232T1

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