NCV33202VDR2G vs NCV33152DR2
Dieser detaillierte Vergleich von NCV33202VDR2G und NCV33152DR2 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
SOIC-8
SOIC-8
Beschreibung
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
ProductStatus
Active
Obsolete
DrivenConfiguration
-
Low-Side
ChannelType
-
Independent
NumberofDrivers
-
2
GateType
-
N-Channel MOSFET
Voltage-Supply
-
6.1V ~ 18V
LogicVoltage-VILVIH
-
0.8V, 2.6V
Current-PeakOutput(SourceSink)
-
1.5A, 1.5A
InputType
-
Non-Inverting
Rise/FallTime(Typ)
-
36ns, 32ns
OperatingTemperature
-55°C ~ 125°C
-40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
Series
Automotive, AEC-Q100
-
AmplifierType
General Purpose
-
NumberofCircuits
2
-
OutputType
Rail-to-Rail
-
SlewRate
1V/µs
-
GainBandwidthProduct
2.2 MHz
-
Current-InputBias
80 nA
-
Voltage-InputOffset
8 mV
-
Current-Supply
900µA (x2 Channels)
-
Current-Output/Channel
80 mA
-
Voltage-SupplySpan(Min)
1.8 V
-
Voltage-SupplySpan(Max)
12 V
-
