NE5532DR vs NE5532DRG4

Dieser detaillierte Vergleich von NE5532DR und NE5532DRG4 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
NE5532DR

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2043 Stückzahl | Texas Instruments
NE5532DRG4

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4940 Stückzahl | Texas Instruments
Paket
Beschreibung IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
Part Status - Active
Amplifier Type - Standard (General Purpose)
Number of Circuits - 2
Slew Rate - 9V/µs
Gain Bandwidth Product - 10 MHz
Current - Input Bias - 200 nA
Voltage - Input Offset - 500 µV
Current - Supply - 8mA (x2 Channels)
Current - Output / Channel - 38 mA
Voltage - Supply Span (Min) - 10 V
Voltage - Supply Span (Max) - 30 V
Operating Temperature - 0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type - Surface Mount
Base Product Number - NE5532
ProductStatus Active -
AmplifierType General Purpose -
NumberofCircuits 2 -
SlewRate 9V/µs -
GainBandwidthProduct 10 MHz -
Current-InputBias 200 nA -
Voltage-InputOffset 500 µV -
Current-Supply 8mA (x2 Channels) -
Current-Output/Channel 38 mA -
Voltage-SupplySpan(Min) 10 V -
Voltage-SupplySpan(Max) 30 V -
OperatingTemperature 0°C ~ 70°C (TA) -
MountingType Surface Mount -
Vergleichsmodell : NE5532DR NE5532DRG4

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