NTJD4001NT1G vs NTJD4105CT4G

Dieser detaillierte Vergleich von NTJD4001NT1G und NTJD4105CT4G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

NTJD4001NT1G

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 7623 Stückzahl
Package: SC-88
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

+Stückliste Anfrage

Part B

NTJD4105CT4G

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 5881 Stückzahl
Package: SC-88
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

+Stückliste Anfrage

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Anfrage Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	NTJD4001NT1G	NTJD4105CT4G
Supplier	-	onsemi
Part Status	Active	Obsolete
FET Type	2 N-Channel (Dual)	N and P-Channel
FET Feature	Standard	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V	20V, 8V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	250mA	630mA, 775mA
Rds On(Max) @ Id Vgs	1.5Ohm @ 10mA, 4V	375mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	1.5V @ 100µA	1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	1.3nC @ 5V	3nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	33pF @ 5V	46pF @ 20V
Power - Max	272mW	270mW
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare Anfrage