NTJD4158CT1G vs NTJD4001NT2G Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von NTJD4158CT1G und NTJD4001NT2G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
NTJD4158CT1G

+Stückliste

2739 Stückzahl | Onsemi
NTJD4001NT2G

+Stückliste

6025 Stückzahl | Onsemi
Paket SC-70 SC-88
Beschreibung MOSFET N/P-CH 30V/20V SOT363 MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363
Supplier - onsemi
Part Status Active Obsolete
FET Type N and P-Channel 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V, 20V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 250mA, 880mA 250mA
Rds On(Max) @ Id Vgs 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.5V @ 100µA 1.5V @ 100µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 1.5nC @ 5V 1.3nC @ 5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 33pF @ 5V 33pF @ 5V
Power - Max 270mW 272mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : NTJD4158CT1G NTJD4001NT2G

+Stückliste Anfrage