NTJD4401NT1G vs NTJD4158CT1G Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von NTJD4158CT1G und NTJD4401NT1G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
NTJD4158CT1G

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2739 Stückzahl | Onsemi
NTJD4401NT1G

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2877 Stückzahl | Onsemi
Paket SC-70 SC-88
Beschreibung MOSFET N/P-CH 30V/20V SOT363 MOSFET 2N-CH 20V 630MA SOT363
Part Status Active Active
FET Type N and P-Channel 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V, 20V 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 250mA, 880mA 630mA
Rds On(Max) @ Id Vgs 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.5V @ 100µA 1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 1.5nC @ 5V 3nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 33pF @ 5V 46pF @ 20V
Power - Max 270mW 270mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : NTJD4158CT1G NTJD4401NT1G

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