NTZD3155CT2G vs NTZD3155CT1H

Dieser detaillierte Vergleich von NTZD3155CT2G und NTZD3155CT1H bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

NTZD3155CT2G

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 6954 Stückzahl
Package: SOT-563
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Part B

NTZD3155CT1H

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 8709 Stückzahl
Package: SOT-666
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Full specification comparison

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Specification	NTZD3155CT2G	NTZD3155CT1H
Supplier	-	onsemi
Part Status	Active	Obsolete
FET Type	N and P-Channel	N and P-Channel
FET Feature	Logic Level Gate	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V	20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	540mA, 430mA	540mA, 430mA
Rds On(Max) @ Id Vgs	550mOhm @ 540mA, 4.5V	550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	1V @ 250µA	1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	2.5nC @ 4.5V	2.5nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	150pF @ 16V	150pF @ 16V
Power - Max	250mW	250mW
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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