NVMFD5877NLT1G vs NVMFD016N06CT1G Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von NVMFD5877NLT1G und NVMFD016N06CT1G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
NVMFD5877NLT1G

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6114 Stückzahl | Onsemi
NVMFD016N06CT1G

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2195 Stückzahl | Onsemi
Paket TDFN-8 TDFN-8
Beschreibung MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC MOSFET N-CH 60V 8DFN 5X6
Supplier onsemi onsemi
Series Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Part Status Obsolete Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 60V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 6A 9A (Ta), 32A (Tc)
Rds On(Max) @ Id Vgs 39mOhm @ 7.5A, 10V 16.3mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA 4V @ 25µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 20nC @ 10V 6.9nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 540pF @ 25V 489pF @ 30V
Power - Max 3.2W 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : NVMFD5877NLT1G NVMFD016N06CT1G

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