RT9610BZQW vs RT9611CGQW Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von RT9610BZQW und RT9611CGQW bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
RT9610BZQW

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5427 Stückzahl | Richter USA Inc.
RT9611CGQW

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3993 Stückzahl | Richter USA Inc.
Paket WDFN-8 WDFN-8
Beschreibung IC HV BUCK MOSFET DRVR WDFN-8 IC BUCK MOSFET DRVR WDFN-8
Part Status Active Active
Driven Configuration High-Side or Low-Side High-Side or Low-Side
Channel Type Synchronous Synchronous
Number of Drivers 2 2
Gate Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 4.5V ~ 26V 4.5V ~ 13.5V
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 6 V 12 V
Rise / Fall Time(Typ) 8ns, 8ns 25ns, 25ns
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Logic Voltage - VILVIH 0.48V, 2V -
Current - Peak Output(Source Sink) 2A, 2A -
Vergleichsmodell : RT9610BZQW RT9611CGQW

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