RT9610CGQW vs RT9611AGQW Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von RT9611AGQW und RT9610CGQW bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
WDFN-8
Beschreibung
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8WDFN
IC HV BUCK MOSFET DRVR WDFN-8
Part Status
Active
Active
Base Product Number
RT9611
-
Digi Key Programmable
Not Verified
-
Driven Configuration
High-Side, Low-Side
High-Side or Low-Side
Channel Type
Synchronous
Synchronous
Number of Drivers
2
2
Gate Type
MOSFET (N-Channel)
N-Channel MOSFET
Voltage - Supply
4.5V ~ 13.5V
4.5V ~ 26V
Input Type
Non-Inverting
Non-Inverting
Rise / Fall Time (Typ)
12ns, 12ns
-
Operating Temperature
-40°C ~ 85°C (TA)
-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
High Side Voltage - Max (Bootstrap)
15 V
-
Logic Voltage - VILVIH
-
0.48V, 1.4V
Current - Peak Output(Source Sink)
-
2A, 2A
High Side Voltage - Max(Bootstrap)
-
6 V
Rise / Fall Time(Typ)
-
8ns, 8ns
