SBC846BLT1G vs SBC847CDW1T1

Dieser detaillierte Vergleich von SBC846BLT1G und SBC847CDW1T1 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

SBC846BLT1G

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 4800 Stückzahl
Package: SOT-23-3
Series: Transistoren, Bipolar (BJT, Single)

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Part B

SBC847CDW1T1

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 3768 Stückzahl
Series: Linear-Verstärker

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Full specification comparison

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Specification	SBC846BLT1G	SBC847CDW1T1
Supplier	-	Rochester Electronics, LLC
Part Status	Active	Active
Series	Automotive, AEC-Q101	-
Transistor Type	NPN	-
Current - Collector(Ic)(Max)	100 mA	-
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	65 V	-
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	600mV @ 5mA, 100mA	-
Current - Collector Cutoff(Max)	15nA (ICBO)	-
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	200 @ 2mA, 5V	-
Power - Max	300 mW	-
Frequency - Transition	100MHz	-
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-
Mounting Type	Surface Mount	-

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