SBC846BLT1G vs SBC847CDW1T1 Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von SBC846BLT1G und SBC847CDW1T1 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
SBC846BLT1G

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4800 Stückzahl | Onsemi
SBC847CDW1T1

+Stückliste

3768 Stückzahl | Onsemi
Paket SOT-23-3
Beschreibung TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3 TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT-363
Supplier - Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Active
Series Automotive, AEC-Q101 -
Transistor Type NPN -
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA -
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 65 V -
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 600mV @ 5mA, 100mA -
Current - Collector Cutoff(Max) 15nA (ICBO) -
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 200 @ 2mA, 5V -
Power - Max 300 mW -
Frequency - Transition 100MHz -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Vergleichsmodell : SBC846BLT1G SBC847CDW1T1

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