SBC846BWT1G vs SBC847CDW1T1

Dieser detaillierte Vergleich von SBC846BWT1G und SBC847CDW1T1 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
SBC846BWT1G

+Stückliste

4193 Stückzahl | Onsemi
SBC847CDW1T1

+Stückliste

3768 Stückzahl | Onsemi
Paket SOT-323
Beschreibung TRANS NPN 65V 0.1A SC70-3 TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT-363
Supplier - Rochester Electronics, LLC
ProductStatus Active Active
Series Automotive, AEC-Q101 -
TransistorType NPN -
Current-Collector(Ic)(Max) 100 mA -
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) 65 V -
VceSaturation(Max)@IbIc 600mV @ 5mA, 100mA -
Current-CollectorCutoff(Max) 15nA (ICBO) -
DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce 200 @ 2mA, 5V -
Power-Max 150 mW -
Frequency-Transition 100MHz -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
Vergleichsmodell : SBC846BWT1G SBC847CDW1T1

+Stückliste Anfrage