SBC846BWT1G vs SBC847BDW1T1G

Dieser detaillierte Vergleich von SBC846BWT1G und SBC847BDW1T1G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

SBC846BWT1G

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 4193 Stückzahl
Package: SOT-323
Series: Transistoren, Bipolar (BJT, Single)

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Part B

SBC847BDW1T1G

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 7174 Stückzahl
Package: SOT-363-6
Series: Transistoren, Bipolar (BJT-Arrays)

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Full specification comparison

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Specification	SBC846BWT1G	SBC847BDW1T1G
Series	Automotive, AEC-Q101	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active	Active
Transistor Type	NPN	2 NPN (Dual)
Current - Collector(Ic)(Max)	100 mA	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	65 V	45V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	600mV @ 5mA, 100mA	600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max)	15nA (ICBO)	15nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	200 @ 2mA, 5V	200 @ 2mA, 5V
Power - Max	150 mW	380mW
Frequency - Transition	100MHz	100MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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