SI2301-TP vs SI2308BDS-T1-GE3 Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von SI2308BDS-T1-GE3 und SI2301-TP bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOT-23-3
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
Series
TrenchFET®
-
Part Status
Obsolete
Active
Base Product Number
SI2308
-
FET Type
N-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.3A (Tc)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
156mOhm @ 1.9A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.8 nC @ 10 V
-
Vgs (Max)
±20V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
190 pF @ 30 V
-
Power Dissipation (Max)
1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
1.25W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
-
2.8A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
-
2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs
-
120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id
-
1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
-
14.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
-
±8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
-
880 pF @ 6 V
