SI2307BDS-T1-E3 vs SI2304DDS-T1-GE3

Dieser detaillierte Vergleich von SI2307BDS-T1-E3 und SI2304DDS-T1-GE3 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

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Specification SI2307BDS-T1-E3 SI2304DDS-T1-GE3
Series TrenchFET® TrenchFET®
Part Status Active Active
FET Type P-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 2.5A (Ta) 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 78mOhm @ 3.2A, 10V 60mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 6.7 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 380 pF @ 15 V 235 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 750mW (Ta) 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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