SI2305-TP vs SI2302CDS-T1-GE3

Dieser detaillierte Vergleich von SI2305-TP und SI2302CDS-T1-GE3 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

SI2305-TP

Micro Commercial Co.

Lifecycle
Active
Stock
6247 Stückzahl
Package
SOT-23
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
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Specification SI2305-TP SI2302CDS-T1-GE3
Series - TrenchFET®
Part Status Active Active
FET Type P-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 8 V 20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 4.1A (Ta) 2.6A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V 2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs 90mOhm @ 2A, 1.8V 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 900mV @ 250µA 850mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V 5.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±8V ±8V
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta) 710mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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