SI4948BEY-T1-E3 vs SI4941EDY-T1-E3

Dieser detaillierte Vergleich von SI4948BEY-T1-E3 und SI4941EDY-T1-E3 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

SI4948BEY-T1-E3

Vishay Siliconix

Lifecycle: Active
Stock: 6037 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Part B

SI4941EDY-T1-E3

Vishay Siliconix

Lifecycle: Active
Stock: 2858 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Specification	SI4948BEY-T1-E3	SI4941EDY-T1-E3
Supplier	-	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET®	TrenchFET®
Part Status	Active	Obsolete
FET Type	2 P-Channel (Dual)	2 P-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V	30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	2.4A	10A
Rds On(Max) @ Id Vgs	120mOhm @ 3.1A, 10V	21mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	3V @ 250µA	2.8V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	22nC @ 10V	70nC @ 10V
Power - Max	1.4W	3.6W
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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