SI4946BEY-T1-E3 vs SI4948BEY-T1-E3

Dieser detaillierte Vergleich von SI4946BEY-T1-E3 und SI4948BEY-T1-E3 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

SI4946BEY-T1-E3

Vishay Siliconix

Lifecycle: Active
Stock: 4646 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Part B

SI4948BEY-T1-E3

Vishay Siliconix

Lifecycle: Active
Stock: 6037 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Full specification comparison

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Specification	SI4946BEY-T1-E3	SI4948BEY-T1-E3
Series	TrenchFET®	TrenchFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	2 N-Channel (Dual)	2 P-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V	60V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	6.5A	2.4A
Rds On(Max) @ Id Vgs	41mOhm @ 5.3A, 10V	120mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	3V @ 250µA	3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	25nC @ 10V	22nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	840pF @ 30V	-
Power - Max	3.7W	1.4W
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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