SI7463DP-T1-E3 vs SI7461DP-T1-E3

Dieser detaillierte Vergleich von SI7463DP-T1-E3 und SI7461DP-T1-E3 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

SI7463DP-T1-E3

Vishay Siliconix

Lifecycle: Active
Stock: 2775 Stückzahl
Package: PowerPAK-SO-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

+Stückliste Anfrage

Part B

SI7461DP-T1-E3

Vishay Siliconix

Lifecycle: Active
Stock: 7393 Stückzahl
Package: PowerPAK-SO-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

+Stückliste Anfrage

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Anfrage Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	SI7463DP-T1-E3	SI7461DP-T1-E3
Series	TrenchFET®	TrenchFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	P-Channel	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V	60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	11A (Ta)	8.6A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	9.2mOhm @ 18.6A, 10V	14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	3V @ 250µA	3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	140 nC @ 10 V	190 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Power Dissipation (Max)	1.9W (Ta)	1.9W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare Anfrage