STD10N60M2 vs STD10PF06T4
Dieser detaillierte Vergleich von STD10PF06T4 und STD10N60M2 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TO-252
TO-252-3
Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 10A DPAK
MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
Series
STripFET™ II
MDmesh™ II Plus
ProductStatus
Obsolete
Active
FETType
P-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
60 V
600 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
10A (Tc)
7.5A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
200mOhm @ 5A, 10V
600mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
21 nC @ 10 V
13.5 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
850 pF @ 25 V
400 pF @ 100 V
PowerDissipation(Max)
40W (Tc)
85W (Tc)
OperatingTemperature
175°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
