STD10P10F6 vs STD10N60M2
Dieser detaillierte Vergleich von STD10N60M2 und STD10P10F6 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TO-252-3
TO-252-3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
MOSFET P-CH 100V 10A DPAK
Series
MDmesh™ II Plus
STripFET™ F6
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
600 V
100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
7.5A (Tc)
10A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
600mOhm @ 3A, 10V
180mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
13.5 nC @ 10 V
16.5 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±25V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
400 pF @ 100 V
864 pF @ 80 V
PowerDissipation(Max)
85W (Tc)
40W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
175°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
