STF10LN80K5 vs STF10NM60N

Dieser detaillierte Vergleich von STF10LN80K5 und STF10NM60N bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

STF10LN80K5

STMikroelektronik

Lifecycle
Active
Stock
1313 Stückzahl
Package
TO-220FP
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage
Part B

STF10NM60N

STMikroelektronik

Lifecycle
Active
Stock
5252 Stückzahl
Package
TO-220F
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification STF10LN80K5 STF10NM60N
Series MDmesh™ MDmesh™ II
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V 600 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 8A (Tc) 10A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 630mOhm @ 4A, 10V 550mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 100µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±25V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 427 pF @ 100 V 540 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 25W (Tc) 25W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
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