STGW60H65DFB vs STGW60V60DLF

Dieser detaillierte Vergleich von STGW60H65DFB und STGW60V60DLF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Anfrage Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification STGW60H65DFB STGW60V60DLF
Supplier - STMicroelectronics
Part Status Last Time Buy Active
IGBT Type Trench Field Stop -
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 650 V -
Current - Collector(Ic)(Max) 80 A -
Current - Collector Pulsed(Icm) 240 A -
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2V @ 15V, 60A -
Power - Max 375 W -
Switching Energy 1.09mJ (on), 626µJ (off) -
Input Type Standard -
Gate Charge 306 nC -
Td(on / off) @ 25°C 51ns/160ns -
Test Condition 400V, 60A, 5Ohm, 15V -
Reverse Recovery Time (trr) 60 ns -
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -
Mounting Type Through Hole -
Compare Anfrage