STGW60H65DFB vs STGW60V60DF

Dieser detaillierte Vergleich von STGW60H65DFB und STGW60V60DF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification STGW60H65DFB STGW60V60DF
Part Status Last Time Buy Active
IGBT Type Trench Field Stop Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 650 V 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 80 A 80 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 240 A 240 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2V @ 15V, 60A 2.3V @ 15V, 60A
Power - Max 375 W 375 W
Switching Energy 1.09mJ (on), 626µJ (off) 750µJ (on), 550µJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 306 nC 334 nC
Td(on / off) @ 25°C 51ns/160ns 60ns/208ns
Test Condition 400V, 60A, 5Ohm, 15V 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 60 ns 74 ns
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
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