STGW60V60DF vs STGW60H65DF

Dieser detaillierte Vergleich von STGW60V60DF und STGW60H65DF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

STGW60V60DF

STMikroelektronik

Lifecycle: Active
Stock: 4362 Stückzahl
Package: TO-247
Series: Transistoren von IGBTs

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Part B

STGW60H65DF

STMikroelektronik

Lifecycle: Active
Stock: 3361 Stückzahl
Package: TO-247-3
Series: Transistoren von IGBTs

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Full specification comparison

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Specification	STGW60V60DF	STGW60H65DF
Supplier	-	STMicroelectronics
Part Status	Active	Obsolete
IGBT Type	Trench Field Stop	Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	600 V	650 V
Current - Collector(Ic)(Max)	80 A	120 A
Current - Collector Pulsed(Icm)	240 A	240 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic	2.3V @ 15V, 60A	1.9V @ 15V, 60A
Power - Max	375 W	360 W
Switching Energy	750µJ (on), 550µJ (off)	1.5mJ (on), 1.1mJ (off)
Input Type	Standard	Standard
Gate Charge	334 nC	206 nC
Td(on / off) @ 25°C	60ns/208ns	67ns/165ns
Test Condition	400V, 60A, 4.7Ohm, 15V	400V, 60A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	74 ns	62 ns
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

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