TLC271BIDR vs TLC271CDR Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von TLC271CDR und TLC271BIDR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
TLC271CDR

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6110 Stückzahl | Texas Instruments
TLC271BIDR

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4844 Stückzahl | Texas Instruments
Paket SOIC-8
Beschreibung IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC
Series LinCMOS™ LinCMOS™
Part Status Active Active
Amplifier Type General Purpose General Purpose
Number of Circuits 1 1
Slew Rate 5.3V/µs 5.3V/µs
Gain Bandwidth Product 2.2 MHz 2.2 MHz
Current - Input Bias 0.7 pA 0.7 pA
Voltage - Input Offset 1.1 mV 390 µV
Supply Current 950µA 950µA
Current - Output / Channel 30 mA 30 mA
Voltage - Supply Span(Min) 3 V 4 V
Voltage - Supply Span(Max) 16 V 16 V
Operating Temperature 0°C ~ 70°C -40°C ~ 85°C
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : TLC271CDR TLC271BIDR

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