TLC271BIDR vs TLC271IDRG4 Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von TLC271BIDR und TLC271IDRG4 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOIC-8
SOIC-8
Beschreibung
IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC
IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC
Supplier
-
Texas Instruments
Series
LinCMOS™
LinCMOS™
Part Status
Active
Discontinued at Digi-Key
Amplifier Type
General Purpose
General Purpose
Number of Circuits
1
1
Slew Rate
5.3V/µs
5.3V/µs
Gain Bandwidth Product
2.2 MHz
2.2 MHz
Current - Input Bias
0.7 pA
0.7 pA
Voltage - Input Offset
390 µV
1.1 mV
Supply Current
950µA
950µA
Current - Output / Channel
30 mA
30 mA
Voltage - Supply Span(Min)
4 V
4 V
Voltage - Supply Span(Max)
16 V
16 V
Operating Temperature
-40°C ~ 85°C
-40°C ~ 85°C
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
