TLC27M2CDR vs TLC271BIDR
Dieser detaillierte Vergleich von TLC27M2CDR und TLC271BIDR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOIC-8
Beschreibung
IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC
Series
LinCMOS™
LinCMOS™
ProductStatus
Active
Active
AmplifierType
CMOS
General Purpose
NumberofCircuits
2
1
SlewRate
0.62V/µs
5.3V/µs
GainBandwidthProduct
635 kHz
2.2 MHz
Current-InputBias
0.7 pA
0.7 pA
Voltage-InputOffset
1.1 mV
390 µV
Current-Supply
285µA (x2 Channels)
950µA
Current-Output/Channel
30 mA
30 mA
Voltage-SupplySpan(Min)
3 V
4 V
Voltage-SupplySpan(Max)
16 V
16 V
OperatingTemperature
0°C ~ 70°C (TA)
-40°C ~ 85°C
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
