TLC27M2CDR vs TLC271IDG4

Dieser detaillierte Vergleich von TLC27M2CDR und TLC271IDG4 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
TLC27M2CDR

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1234 Stückzahl | Texas Instruments
TLC271IDG4

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7011 Stückzahl | Texas Instruments
Paket 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Beschreibung IC OPAMP GP 2.2MHZ 8SOIC
Supplier - Rochester Electronics, LLC
Series LinCMOS™ LinCMOS™
ProductStatus Active Active
AmplifierType CMOS General Purpose
NumberofCircuits 2 1
SlewRate 0.62V/µs 5.3V/µs
GainBandwidthProduct 635 kHz 2.2 MHz
Current-InputBias 0.7 pA 0.7 pA
Voltage-InputOffset 1.1 mV 1.1 mV
Current-Supply 285µA (x2 Channels) 950µA
Current-Output/Channel 30 mA 30 mA
Voltage-SupplySpan(Min) 3 V 4 V
Voltage-SupplySpan(Max) 16 V 16 V
OperatingTemperature 0°C ~ 70°C (TA) -40°C ~ 85°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : TLC27M2CDR TLC271IDG4

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