TLV271IDR vs TLV272IDR

Dieser detaillierte Vergleich von TLV271IDR und TLV272IDR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

TLV271IDR

Texas Instruments

Lifecycle: Active
Stock: 7789 Stückzahl
Series: Linear-Verstärker.Instrumentation, OP-Verstärker, Pufferverstärker

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Part B

TLV272IDR

Texas Instruments

Lifecycle: Active
Stock: 3035 Stückzahl
Series: Linear-Verstärker.Instrumentation, OP-Verstärker, Pufferverstärker

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Full specification comparison

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Specification	TLV271IDR	TLV272IDR
Part Status	Active	Active
Amplifier Type	CMOS	General Purpose
Number of Circuits	1	2
Output Type	Rail-to-Rail	Rail-to-Rail
Slew Rate	2.6V/µs	2.6V/µs
Gain Bandwidth Product	3 MHz	3 MHz
Current - Input Bias	1 pA	1 pA
Voltage - Input Offset	500 µV	500 µV
Supply Current	625µA	550µA (x2 Channels)
Current - Output / Channel	8 mA	8 mA
Voltage - Supply Span(Min)	2.7 V	2.7 V
Voltage - Supply Span(Max)	16 V	16 V
Operating Temperature	-40°C ~ 125°C	-40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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